等离子体溅射成膜方法及成膜装置
专利权的终止
摘要
本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。
基本信息
专利标题 ：
等离子体溅射成膜方法及成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044258A
申请号 ：
CN200580035895.1
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
池田太郎铃木健二波多野达夫水泽宁
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580035895.1
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/14 C23C14/06 H01L21/285 H01L21/3205 H01L23/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2017-12-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20100818
终止日期 : 20161018
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20100818
终止日期 : 20161018
2010-08-18 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101044258A.PDF
PDF下载
2、
CN101044258B.PDF
PDF下载
