溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板
授权
摘要
本发明的溅射靶(1)中，板状的氧化物烧结体(3)具有沿Y方向排列的多个区域，多个区域具有：端部区域(7A、7B)，是包括Y方向上的端部的区域；内侧区域(9A、9B)，是从端部朝向Y方向计数处于内侧第2个的区域，在将端部区域(7A、7B)的板厚设为t1，端部区域(7A、7B)的Y方向的宽度设为L1，内侧区域(9A、9B)的板厚设为t2的情况下，t1、L1以及t2满足以下的式(1)～(4)，t2>t1…(1)，t1(mm)>L1(mm)×0.1+4…(2)，t1(mm)<9…(3)，10
基本信息
专利标题 ：
溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110892089A
申请号 ：
CN201880047311.X
公开（公告）日 ：
2020-03-17
申请日 ：
2018-08-01
授权号 ：
CN110892089B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
海上晓
申请人 ：
出光兴产株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈亦欧
优先权 ：
CN201880047311.X
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C04B35/453 H01L21/363
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-08-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20180801
申请日 : 20180801
2020-03-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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