氧化物半导体膜及半导体装置

实质审查的生效

摘要

本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。

基本信息

专利标题：

氧化物半导体膜及半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114512547A

申请号：

CN202210049336.1

公开（公告）日：

2022-05-17

申请日：

2016-01-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

下村明久肥塚纯一冈崎健一山根靖正佐藤裕平山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

姜冰

优先权：

CN202210049336.1

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/04 H01L29/24 H01L27/12 H01L21/02 C23C14/08 C23C14/34

法律状态

2022-06-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20160129

2022-05-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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