一种半导体氧化物薄膜的制备装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体氧化物薄膜的制备装置，包括：真空钟罩体(1)，所述真空钟罩体(1)的内部为真空；转动机构(2)，设置在所述真空钟罩体(1)上，其输出一端接入所述真空钟罩体(1)内；球形曲面衬底(3)，所述球形曲面衬底(3)的顶端与所述转动机构(2)固设在一起，所述球形曲面衬底(3)沿曲面的外围上设有加热器(31)；超声喷雾机构(4)，固设在所述真空钟罩(1)内部的底部，用于将喷涂液雾化后由下往上均匀喷涂于在所述球形曲面衬底(3)分布的基片(32)上。能够实现目标喷涂液体在球形曲面衬底分布的基片上的均匀沉积，从而提高半导体薄膜的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体氧化物薄膜的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120741273.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-13
授权号 ：
CN216573827U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
杨文宇董佳敏李春兴谢旭婷
申请人 ：
宁德师范学院
申请人地址 ：
福建省宁德市东侨经济开发区学院路1号
代理机构 ：
厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭金华
优先权 ：
CN202120741273.7
主分类号 ：
B05B17/06
IPC分类号 ：
B05B17/06 H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B05
一般喷射或雾化；对表面涂覆流体的一般方法
B05B
喷射装置；雾化装置；喷嘴
B05B17/00
该小类任何其他组中未包含的液体或其他流体喷射或雾化的装置
B05B17/04
用特殊方法操作
B05B17/06
利用超声波振动
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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