新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法,所述薄膜制备方法包含在基底上溅射阻挡层,在所述阻挡层上溅射发热层;采用包含硅的靶材溅射形成阻挡层,采用包含氧化铟锡的靶材溅射形成发热层,最终形成的新型复合半导体制热薄膜电热转换高效同时辐射直接穿透皮肤及皮下组织的远红外波。使用过程中,基底所含杂质由于升温向外扩散时,基底和发热层之间设置的阻挡层,一方面阻挡基底中的杂质向发热层扩散,另一方面防止水汽渗透进入发热层,减少杂质和水汽对发热层造成损害。本申请通过引入膜层设计,使得基底和发热层的热膨胀系数和晶格常数匹配,提高新型复合半导体制热薄膜在使用过程中各层结构之间可靠连接程度,延长产品寿命。
基本信息
专利标题 :
新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113038641A
申请号 :
CN202110531857.6
公开(公告)日 :
2021-06-25
申请日 :
2021-05-17
授权号 :
CN113038641B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
张伟赵莉
申请人 :
中熵科技(北京)有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区信息路甲28号C座(二层)02B室-405号
代理机构 :
北京智乾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘莹莹
优先权 :
CN202110531857.6
主分类号 :
H05B3/12
IPC分类号 :
H05B3/12 H05B3/02 H05B3/06 H05B3/04 H05B3/20 C23C14/35 C23C14/20 C23C14/08
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法律状态
2022-05-13 :
授权
2022-01-04 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H05B 3/12
变更事项 : 申请人
变更前 : 中熵科技(北京)有限公司
变更后 : 中熵科技(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区信息路甲28号C座(二层)02B室-405号
变更后 : 100190 北京市海淀区中关村北二条13号39幢平房104房间
变更事项 : 申请人
变更前 : 中熵科技(北京)有限公司
变更后 : 中熵科技(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区信息路甲28号C座(二层)02B室-405号
变更后 : 100190 北京市海淀区中关村北二条13号39幢平房104房间
2021-07-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05B 3/12
申请日 : 20210517
申请日 : 20210517
2021-06-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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