氧化物半导体膜及半导体装置

实质审查的生效

摘要

通过雾化至少包含铝的第一原料溶液而生成第一雾化液滴，进而雾化至少包含镓和掺杂剂的第二原料溶液而生成第二雾化液滴，接着，使用第一载气将第一雾化液滴运送到制膜室内，使用第二载气将第二雾化液滴运送到制膜室内后，第一雾化液滴和第二雾化液滴在制膜室内混合，使混合的雾化液滴在基体表面附近发生热反应，从而在所述基体上形成以至少包含铝和镓的金属氧化物作为主成分且迁移率为5cm²/Vs以上的氧化物半导体膜。

基本信息

专利标题：

氧化物半导体膜及半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114342086A

申请号：

CN202080062724.2

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2020-07-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菅野亮平

申请人：

株式会社FLOSFIA

申请人地址：

日本京都

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司

代理人：

刁兴利

优先权：

CN202080062724.2

主分类号：

H01L29/24

IPC分类号：

H01L29/24 H01L29/872 H01L29/739 H01L29/778 H01L29/78 H01L29/808 H01L29/812

法律状态

2022-06-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/24
申请日 : 20200708

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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