氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧...
授权
摘要
一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
基本信息
专利标题 ：
氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧化物薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111164233A
申请号 ：
CN201980004774.2
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2019-03-06
授权号 ：
CN111164233B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
奈良淳史宗安慧
申请人 ：
捷客斯金属株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
胡嵩麟
优先权 ：
CN201980004774.2
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C04B35/01
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20190306
申请日 : 20190306
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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