氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法
授权
摘要
实施方式的一个方案的氧化物烧结体是以满足以下的式(1)～(3)的比率含有铟、镓和锌的氧化物烧结体，其由单相的晶体相构成，晶体相的平均粒径为15.0μm以下。0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20(1)；0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49(2)；0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89(3)。
基本信息
专利标题 ：
氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110770191A
申请号 ：
CN201880041330.1
公开（公告）日 ：
2020-02-07
申请日 ：
2018-08-29
授权号 ：
CN110770191B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
寺村享祐深川功儿
申请人 ：
三井金属矿业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN201880041330.1
主分类号 ：
C04B35/453
IPC分类号 ：
C04B35/453 C23C14/34 H01L21/203
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/453
以氧化锌、氧化锡或氧化铋或与其他氧化物的固溶体为基料的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-11-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/453
申请日 : 20180829
申请日 : 20180829
2020-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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