等离子体成膜方法和等离子体成膜装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。
基本信息
专利标题 ：
等离子体成膜方法和等离子体成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101036219A
申请号 ：
CN200580034009.3
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-10-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林保男太田与洋康松润泽田郁夫
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580034009.3
主分类号 ：
H01L21/314
IPC分类号 ：
H01L21/314 C23C16/26
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
法律状态
2015-11-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101634078570
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利号 : ZL2005800340093
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20141004
号牌文件序号 : 101634078570
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利号 : ZL2005800340093
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20141004
2009-06-17 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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