半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件，该半导体器件可以包括衬底、金属栅极、多晶硅栅极和绝缘层；衬底上设置有栅极沟槽；金属栅极填充于栅极沟槽，且所述金属栅极的高度小于所述栅极沟槽的深度，金属栅极靠近栅极沟槽开口方向的一侧具有凸起；多晶硅栅极填充于栅极沟槽，多晶硅栅极设于凸起与栅极沟槽的内壁之间，且所述多晶硅栅极不凸出于栅极沟槽；绝缘层设于多晶硅栅极远离金属栅极的一侧，且与金属栅极和多晶硅栅极将栅极沟槽完全填充。在栅极具有较低电阻的同时，减小了栅极与源极、漏极重叠区域的漏电流，以提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921403319.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-27
授权号 ：
CN210110767U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921403319.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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