半导体存储装置及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种半导体存储装置及其制备方法，来优化最终生产的存储装置的电性。本申请提供的一种半导体存储装置的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上表面形成第一遮蔽层；在所述第一遮蔽层上表面形成接触窗，所述接触窗至少部分暴露所述衬底；在所述第一遮蔽层上表面以及所述接触窗内形成第一材料层，所述第一材料层的上表面高于所述第一遮蔽层上表面，且所述第一材料层内部会形成空洞；对所述第一材料层进行离子束注入。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267643A
申请号 ：
CN202111456473.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶长福陈旋旋上官明沁冯立伟
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202111456473.9
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
