半导体装置及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置的制备方法，包括：提供一基底，其包括一阵列区和与该阵列区相邻的一周边区；在该阵列区中形成多个字元线结构、多个源/漏极区、以及一字元线保护层；在该阵列区上形成一第一硬遮罩层，其在邻近该阵列区与该周边区的边界处具有一高度差；以该第一硬遮罩层作为图形引导，形成一位元线接触插塞，其在该阵列区且位于所述字元线结构之间；以及在该周边区上形成一栅极层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388433A
申请号 ：
CN202111060467.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈晖霖王茂盈林育廷田来成
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111060467.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210910
申请日 : 20210910
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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