半导体装置及其制备方法
授权
摘要
本发明揭示了一种半导体装置及其制备方法，所述方法包括提供基板；堆叠设置多个功能芯片于所述基板上，并将多个功能芯片之间以及多个功能芯片与基板之间通过引线连接；设置控制模块于基板上，控制模块包括传感器；形成遮光层于基板上，暴露出最上端的功能芯片以及控制模块；以及形成透光层于基板上，覆盖功能芯片和遮光层，暴露出传感器。由此，实现了多个模块的集成，提高了产品的集成度。并且，降低了产品的功耗。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110931371A
申请号 ：
CN201911162713.7
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN110931371B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
唐伟炜
申请人 ：
合肥速芯微电子有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期G4楼4层401
代理机构 ：
上海启核知识产权代理有限公司
代理人 ：
田嘉嘉
优先权 ：
CN201911162713.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L25/16 B81C1/00 B81B7/00 B81B7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-04-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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