半导体装置及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开是关于一种具有熔丝结构及反熔丝结构的半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻设置于该第一电极的一第三电极，及将该第一电极自该第一介电层与该第三电极分开的一第二介电层。该第一电极、该熔丝链、及该第二电极形成一熔丝结构，而该第一电极、该第三电极、及该第二介电层位于该第一电极与该第三电极之间的一部分形成一反熔丝结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512466A
申请号 ：
CN202110911583.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-08-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄庆玲
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110911583.3
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L23/528 H01L27/112
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20210810
申请日 : 20210810
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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