本发明提供一种光刻方法及半导体装置的制备方法，光刻方法包括：1）于基底上形成光致抗蚀剂层；2）于光致抗蚀剂层涂覆抗反射层；3）将抗反射层置于真空腔室；4）对真空腔室进行抽气处理，以降低真空腔室的气压，抗反射层表面的气泡由于气泡内的气压大于气泡外的气压而破裂，抗反射层内部的气泡由于气泡内的气压大于气泡外的气压而膨胀并上浮至抗反射层表面后破裂。当气泡在破裂后，由于重力和抗反射层的表面张力，落入抗反射层表面的破裂的气泡融入抗反射层中，使看反射层表面保持平整。与现有技术相比，本发明可以针对工艺过程中的气泡缺陷进行定点清除，有效提高产品质量。