本发明公开了一种无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件。所述光刻方法包括：提供有机半导体材料层，并在其上覆设图案化掩模，使其表面的选定区域从图案化掩模中露出；以功能化改性剂与选定区域接触，同时以选定波长的光照射选定区域，从而将选定区域内的有机半导体材料转化为能够被选定溶剂溶解的物质；去除图案化掩模，并以选定溶剂充分清洗经上一步处理后的有机半导体材料层，从而获得图案化的有机半导体材料层。本发明所提供的光刻方法无需使用光刻胶及相应的显影剂和刻蚀剂等，对基底材料不会造成损伤，提高了有机半导体微器件的性能；并且该光刻方法工艺过程简便、可控，能够显著地降低有机半导体微器件的制造成本。