用于半导体光刻术的组件及其制造方法
授权
摘要
一种光学组件和制造光学组件的方法，其中使用增材制造技术直接在光学元件上形成支撑结构，或直接在载体上形成支撑结构，随后结合至光学元件。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体光刻术的组件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111295623A
申请号 ：
CN201880070983.2
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2018-10-05
授权号 ：
CN111295623B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
S·鲁C·W·里德
申请人 ：
ASML控股股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王静
优先权 ：
CN201880070983.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G02B7/00 G02B5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20181005
申请日 : 20181005
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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