制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备...
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摘要

公开制造隔膜组件的方法。在一个布置中,堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;保持所述隔膜的边界,所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成;围绕所述边界的边缘区段,所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成;所述边界与所述边缘区段之间的桥接件,所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成。所述方法还包括通过切割或断裂所述桥接件而将所述边缘区段与所述边界分离。

基本信息
专利标题 :
制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108700817A
申请号 :
CN201680082147.7
公开(公告)日 :
2018-10-23
申请日 :
2016-12-02
授权号 :
CN108700817B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
保罗·詹森J·H·克洛特韦克W·T·A·J·范登艾登A·N·兹德拉夫科夫
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维德霍温
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
胡良均
优先权 :
CN201680082147.7
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G03F1/62  G03F1/64  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-01 :
授权
2019-01-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20161202
2018-10-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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