光刻装置和器件制造方法
专利权的终止
摘要
公开了一种浸入式光刻装置中的最后元件，其在最靠近衬底的表面上具有粘合在该表面上的层，还包括由与上述层相同的材料所形成的边缘阻碍物，其从该层中远离衬底地延伸出来，以便将最后元件相对于液体隔离开。在一个实施例中，该最后元件通过层和/或边缘阻碍物而连接在装置上，所述层和/或边缘阻碍物可由热膨胀系数比最后元件的热膨胀系数更低的材料制成。
基本信息
专利标题 ：
光刻装置和器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797208A
申请号 ：
CN200510003549.7
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·尤特迪克E·R·鲁普斯特拉L·A·桑德塞
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
赵辛
优先权 ：
CN200510003549.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2018-02-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20161223
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20161223
2009-07-08 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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