光刻装置和器件制造方法
授权
摘要
一种用于曝光基底的光刻装置和方法。照射系统提供辐射光束。带图案的光束被投射到基底的目标部分上。位移系统引起基底和光束之间的相对位移。设置所述投影系统,使得每条光束沿基底上的相应一条轨迹进行扫描。所述轨迹重叠,使得每条轨迹包括一个仅被一条光束扫描的第一部分和至少一个与相邻轨迹重叠且被两条光束扫描的第二部分。朝向所述轨迹的第一部分引导的每一条光束第一部分的最大强度大于朝向所述轨迹的第二部分引导的所述光束第二部分的最大强度,使得所述轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体上相同最大强度的辐射中。相邻光束的这种重叠和光束强度的调节允许光学印记接合在一起,从而能够在单次扫描中曝光较大面积的基底。
基本信息
专利标题 :
光刻装置和器件制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1773379A
申请号 :
CN200510120144.1
公开(公告)日 :
2006-05-17
申请日 :
2005-11-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
P·W·H·德贾格C·-Q·桂J·F·F·克林哈梅E·霍贝里奇特斯
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维尔德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
廖凌玲
优先权 :
CN200510120144.1
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G02B26/10 G02B27/18 G03F7/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2010-05-05 :
授权
2008-01-09 :
实质审查的生效
2006-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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