光刻装置和器件制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种光刻装置和一种器件制造方法。所述光刻装置包括围绕充满液体的空间的密封元件，其具有在其下表面对相对低的压力源和相对高的压力源开口的凹槽，通过该凹槽，液体和/或气体从所述密封元件和所述基底之间排出。
基本信息
专利标题 ：
光刻装置和器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101655671A
申请号 ：
CN200910173478.3
公开（公告）日 ：
2010-02-24
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·R·坎帕S·N·L·唐德斯C·A·胡根达姆N·坦凯特F·范德穆伦
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王波波
优先权 ：
CN200910173478.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2013-07-24 ：
授权
2010-04-28 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101001105910
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2009101734783
申请日 : 20060112
号牌文件序号 : 101001105910
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2009101734783
申请日 : 20060112
2010-02-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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