光刻装置和器件制造方法
授权
摘要
围绕充满液体的空间的密封元件，具有在其下表面对相对低的压力源和相对高的压力源开口的凹槽，通过该凹槽液体和/或气体从所述密封元件和所述基底之间排出。
基本信息
专利标题 ：
光刻装置和器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821884A
申请号 ：
CN200610059227.9
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·R·坎帕S·N·L·唐德斯C·A·胡根达姆N·坦凯特F·范德穆伦
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN200610059227.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-11-11 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
