光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法
专利权的终止
摘要

一种含氟组分的光刻胶聚合物、一种含有该光刻胶聚合物及用以降低表面张力的有机溶剂的光刻胶组合物,及一种通过在下层图案的整个表面上均匀地形成光刻胶薄膜来允许随后的离子注入过程稳定地进行来使用该光刻胶组合物制备半导体装置的方法。

基本信息
专利标题 :
光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1873533A
申请号 :
CN200510137504.9
公开(公告)日 :
2006-12-06
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑载昌
申请人 :
海力士半导体有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
宋莉
优先权 :
CN200510137504.9
主分类号 :
G03F7/004
IPC分类号 :
G03F7/004  G03F7/20  G03F7/00  H01L21/027  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
法律状态
2015-02-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599308093
IPC(主分类) : G03F 7/004
专利号 : ZL2005101375049
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20131229
2009-11-04 :
授权
2007-01-31 :
实质审查的生效
2006-12-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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