用于接通薄膜半导体结构的光刻方法
专利权的终止
摘要
公开了一种用于接通在透明的支撑材料上的薄膜半导体结构的一个或多个接触区域的光刻方法开。所述方法包括步骤：在半导体结构(2、3、4)中形成一个或多个口(6a)以使得支撑材料(5)的各个表面部分(5a)和各个接触区域(4a)基本上暴露出来；以正光敏抗蚀剂(7)覆盖半导体结构的表面；以曝光光线通过支撑材料照射半导体结构，以使得用于分别覆盖基本上暴露出的支撑材料的表面部分和接触区域的至少一部分的第一光敏抗蚀剂部分被曝光光线曝光，并使得曝光光线在半导体结构中被吸收，使覆盖半导体结构的一个或多个第二光敏抗蚀剂部分免受曝光。优选地，导电层(9)沉积在保留的第二光敏抗蚀剂部分、支撑材料的表面部分(5a)以及接触区域的至少一部分的上方，以使得所述导电层与支撑材料相接触，并实现与接触区域的电接通。优选地，保留的第二光敏抗蚀剂部分被化
基本信息
专利标题 ：
用于接通薄膜半导体结构的光刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142680A
申请号 ：
CN200680008516.4
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿明·杰哈德·阿伯利蒂莫西·迈克尔·沃尔什丹尼尔·A·因斯
申请人 ：
新南方创新有限公司
申请人地址 ：
澳大利亚新南威尔士
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN200680008516.4
主分类号 ：
H01L27/142
IPC分类号 ：
H01L27/142 H01L31/04
法律状态
2013-04-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101437117669
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2006800085164
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20120228
号牌文件序号 : 101437117669
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2006800085164
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20120228
2009-12-02 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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