一种光刻对准标记和包括其的半导体结构
授权
摘要
本申请公开一种光刻对准标记和包括其的半导体结构。该对准标记包括：粗对准标记区和精对准标记区，形成在衬底上的第一结构层中，其中粗对准标记区包括阵列排布的粗对准标记，精对准标记区包括阵列排布的精对准标记，并且其中粗对准标记和精对准标记分别包括明场对准标记和/或暗场对准标记，明场对准标记在平行于衬底的平面上的尺寸大于覆盖第一结构层的第二结构层的厚度，暗场对准标记在平行于衬底的平面上的尺寸被配置为使得相邻暗场对准标记之间的区域在平行于衬底的平面上的尺寸大于第二结构层的厚度。根据待形成的第二结构层的厚度，设置明场对准标记和/或暗场对准标记的尺寸，从而使得光刻机能够识别到有效图形并进行高精度的对准曝光。
基本信息
专利标题 ：
一种光刻对准标记和包括其的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122468558.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
CN216648298U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
郭艳华方宇余坚周源侯振威
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
付生辉
优先权 ：
CN202122468558.0
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G03F9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
