硅片对准标记布局的优化方法
授权
摘要
一种硅片对准标记布局的优化方法，该方法包括初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；优化对准标记在场格中的位置；计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置，从而提高套刻对准性能；通过优化方法给出最少对准标记测量个数，从而减少对准系统测量时间，为提升产率提供可能。
基本信息
专利标题 ：
硅片对准标记布局的优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110880469A
申请号 ：
CN201911178873.0
公开（公告）日 ：
2020-03-13
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN110880469B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
李璟丁敏侠张清洋朱世懂折昌美谢冬冬武志鹏胡丹怡
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN201911178873.0
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-04-02 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/68
变更事项 : 发明人
变更前 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 谢冬冬 武志鹏 胡丹怡
变更后 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 武志鹏 胡丹怡
变更事项 : 发明人
变更前 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 谢冬冬 武志鹏 胡丹怡
变更后 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 武志鹏 胡丹怡
2021-03-23 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/68
变更事项 : 发明人
变更前 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 谢冬冬 武志鹏 胡丹怡
变更后 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 武志鹏 胡丹怡
变更事项 : 发明人
变更前 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 谢冬冬 武志鹏 胡丹怡
变更后 : 李璟 丁敏侠 张清洋 朱世懂 折昌美 武志鹏 胡丹怡
2020-04-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20191126
申请日 : 20191126
2020-03-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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