半导体装置及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置及其制备方法，包括：半导体衬底；电容接触插塞，形成在所述半导体衬底上；电容器，形成于所述电容接触插塞上，包括下电极、电容介质层以及上电极，所述下电极与所述电容接触插塞连接，其中，使用大马士革镶嵌工艺将所述下电极堆叠形成在所述电容介质层内，简化了电容器的制作工艺，提高了半导体器件的集成度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388504A
申请号 ：
CN202011142248.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩李俊杰周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011142248.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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