半导体结构的制备方法及其制备装置
授权
摘要
本发明提出一种半导体结构的制备方法。该半导体制备方法可以包括获取各基体的参考图像；选取任一具有连接部的基体的参考图像作为目标图像；根据目标图像确定至少一个比对图像，比对图像的基体与所述目标图像的基体相互连接；根据比对图像中至少一个连接部的图像对目标图像中与之对应连接部的图像进行校正得到标准图像。对具有连接关系的基体连接部所对应的图像进行校正，充分考虑到各层图像之间的关联，使得采用该方法制备的半导体结构的工艺窗口得到提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制备方法及其制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111192233A
申请号 ：
CN201811353789.3
公开（公告）日 ：
2020-05-22
申请日 ：
2018-11-14
授权号 ：
CN111192233B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN201811353789.3
主分类号 ：
G06T7/00
IPC分类号 ：
G06T7/00 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-06-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 7/00
申请日 : 20181114
申请日 : 20181114
2020-05-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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