半导体器件的制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到第一钝化层上形成第二钝化层之后，图案化所述第二钝化层及所述第一钝化层之前，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层及第二钝化层覆盖，第一钝化层及第二钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111916393A
申请号 ：
CN202010802312.X
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN111916393B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
韩瑞津曾辉
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室（自主申报）
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202010802312.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200811
申请日 : 20200811
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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