制备半导体器件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在制备包括半导体部件的半导体器件中，将半导体部件进行等离子体处理，并进行底层涂料处理，然后用封装剂封装该半导体部件。该半导体器件，特别是LED组件的高可靠之处在于在半导体部件与封装剂树脂之间建立牢固的粘结。
基本信息
专利标题 ：
制备半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832120A
申请号 ：
CN200610054779.0
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
儿玉欣也柏木努今泽克之
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
任宗华
优先权 ：
CN200610054779.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L33/00 C09D183/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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