半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体器件，半导体器件的有源区包括依次层叠设置的阱层和掺杂层，还包括开设于掺杂层且内含栅绝缘层和栅电极的栅极沟槽；掺杂层包括多个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区，第二掺杂区为重掺杂区；栅极沟槽位于相邻两个第一掺杂区之间，且第二掺杂区位于至少其中一个第一掺杂区靠近栅极沟槽的一侧。该半导体器件的第二掺杂区域电阻较小，提高了栅极和源极之间的导通电流，增加了器件的开关特性，也能减少器件关闭时GIDL漏电。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920897831.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN209822641U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
李宁
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201920897831.1
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L29/06 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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