半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制造带有半自对准p+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。p型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86103793A
申请号 ：
CN86103793.6
公开（公告）日 ：
1987-04-08
申请日 ：
1986-05-31
授权号 ：
CN1007389B
授权日 ：
1990-03-28
发明人 ：
彼得·丹尼斯·斯科维尔彼得·弗里德·布洛姆利罗格·莱斯利·巴克
申请人 ：
标准电话电报公共有限公司
申请人地址 ：
英国伦敦
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN86103793.6
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L29/72
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
1995-07-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-12-05 ：
授权
1990-03-28 ：
审定
1988-01-06 ：
实质审查请求
1987-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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