一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成P阱区和N阱区；在衬底上形成均匀分布的侧墙；去除多余的侧墙；以侧墙为掩膜刻蚀外延硅层至P阱区或N阱区内部以形成鳍，不同鳍之间形成沟道；在沟道处形成沟道隔离层。该方法只需提前将多余鳍的侧墙去除，即可避免了后续工艺中对多余的鳍的刻蚀过程，从而避免了刻蚀不足或者刻蚀过量所导致的沟道深度不均匀、沟道隔离层高度不均匀的现象。该方法所制备出的鳍的高度均匀、沟道深度均匀以及沟道隔离层高度均匀，改善了由依据该方法所制备出的鳍形成的器件的性能，提高了产品品质。
基本信息
专利标题 ：
一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267638A
申请号 ：
CN202110616316.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖德元
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110616316.3
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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