一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法，在p型硅衬底的顶部间隔预设距离形成有两个高掺杂N+型区；在两个高掺杂N+型区之间的p型硅衬底顶部刻蚀有周期性的空气光子晶体，在所有空气光子晶体内生长吸收红外光波段的半导体光子晶体；p型硅衬底上形成有抗反射薄膜绝缘层；抗反射薄膜绝缘层上形成有表面等离子激元、与一高掺杂N+型区相连的源极、栅极和与另一高掺杂N+型区相连的漏极，栅极形成在源极与漏极之间，等离子激元形成在源极与栅极以及栅极与漏极之间。本发明的场效应晶体管具有全光谱覆盖、强感光性能、高响应度和高集成度等优点，适用波长范围为可见光和红外光波段，且制造工艺简单，以硅作为器件主要材料成本较低。
基本信息
专利标题 ：
一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613872A
申请号 ：
CN202210209621.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李冲关锴徐港杨帅李占杰李巍泽
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
王维新
优先权 ：
CN202210209621.5
主分类号 ：
H01L31/112
IPC分类号 ：
H01L31/112 H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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