无结场效应晶体管及其制备方法
公开
摘要
一种无结场效应晶体管及其制备方法，该无结场效应晶体管包括有源层、二维半导体材料层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸，包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的源极区和漏极区；二维半导体材料层设置在有源层的表面且至少部分环绕沟道区；栅介质层设置在二维半导体材料层的远离有源层的一侧且至少部分环绕二维半导体材料层；栅极设置在栅介质层的远离有源层的一侧且至少部分环绕栅介质层。该无结场效应晶体管中，二维半导体材料层可以弱化甚至屏蔽栅极带来的功函数波动，进而稳定无结场效应晶体管的阈值电压，提高器件的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
无结场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613850A
申请号 ：
CN202011447951.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王欣鹤唐建石张志刚高滨吴华强钱鹤
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华大学
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王薇
优先权 ：
CN202011447951.5
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/34 H01L21/44 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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