本发明描述了半导体器件和制造器件的方法，涉及具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)以及制造这些器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区可以被外延再生长于沟道区顶上或选择性注入到沟道区中。然后可以形成对源区、栅区和漏区的欧姆接触。器件可以包括边缘终端结构诸如保护环、结终端扩展(JTE)、或其它合适的p-n阻断结构。器件可以被制造为具有不同的阈值电压，并且对于相同的沟道掺杂可以被实现为耗尽型和增强型工作模式。器件可被用于分立功率晶体管以及用在数字、模拟、和单片微波集成电路中。