一种薄膜型垂直结构的场效应功率晶体管
公开
摘要
本发明涉及一种新型的薄膜型垂直结构场效应功率晶体管。其采用n‑p‑n‑n的垂直/水平复合结构，实现工作电压可调，并降低导通电阻；并利用III‑V半导体材料进行能带工程设计，提高电子迁移率。本发明能够满足电力电子模块微型化和小型化的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜型垂直结构的场效应功率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300542A
申请号 ：
CN202111665642.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王伟明
申请人 ：
上海镓芯科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文松路223号C9号楼3层
代理机构 ：
北京金诚同达律师事务所
代理人 ：
龚泉洲
优先权 ：
CN202111665642.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/06 H01L29/205
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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