一种功率场效应晶体管并联电路
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摘要

一种功率场效应晶体管并联电路,包括一个上部接线端子、两个以上数目的下部导电端子和两组以上数目的功率场效应晶体管,任意一组功率场效应晶体管均各自包括两个以上数目的功率场效应晶体管,任意一组功率场效应晶体管中、每个功率场效应晶体管的源极均各自通过导线与该组对应的一个下部导电端子连接,上部接线端子与下部导电端子之间的、分别经过各个功率场效应晶体管的电流路径的长度均相等。本实用新型的各个并联支路的电流路径长度近似相等,各支路的寄生参数较为接近,并联支路的阻抗近似相等,进而保证了功率场效应晶体管的发热一致性,延长了整机寿命,提高了整体性能。

基本信息
专利标题 :
一种功率场效应晶体管并联电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220321383.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
CN216671631U
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
刘长柱杨文杰阮翘徐锋
申请人 :
华域汽车电动系统有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区金闻路88号
代理机构 :
上海骁象知识产权代理有限公司
代理人 :
赵峰
优先权 :
CN202220321383.2
主分类号 :
H01L25/07
IPC分类号 :
H01L25/07  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-06-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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