耐高电压的场效应功率晶体管固体组件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型为一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件，它是由若干个VMOS增强型场效应功率晶体管互相串联，加上均压电阻和提供给各单个VMOS增强型场效应功率晶体管的栅极偏压的电阻网络共同组成的，以绝缘材料封装成一体。其功能相当于一个VMOS场效应功率晶体管，可承受万伏以上的高电压，额定输出电流达数安培，适合取代电子管作高电压放大、稳压和稳流之用。
基本信息
专利标题 ：
耐高电压的场效应功率晶体管固体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89212001.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-12-29
授权号 ：
CN2068725U
授权日 ：
1991-01-02
发明人 ：
谭金发
申请人 ：
谭金发
申请人地址 ：
湖南省衡阳市黄茶路194号(衡阳半导体厂
代理机构 ：
湖南省衡阳市专利事务所
代理人 ：
杨代祯
优先权 ：
CN89212001.0
主分类号 ：
H01L25/11
IPC分类号 ：
H01L25/11 H01L29/784
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/10
具有单独容器的器件
H01L25/11
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
1994-05-18 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-08-14 ：
授权
1991-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN2068725U.PDF
PDF下载
