耐高电压的场效应功率晶体管固体组件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要

本实用新型为一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件,它是由若干个VMOS增强型场效应功率晶体管互相串联,加上均压电阻和提供给各单个VMOS增强型场效应功率晶体管的栅极偏压的电阻网络共同组成的,以绝缘材料封装成一体。其功能相当于一个VMOS场效应功率晶体管,可承受万伏以上的高电压,额定输出电流达数安培,适合取代电子管作高电压放大、稳压和稳流之用。

基本信息
专利标题 :
耐高电压的场效应功率晶体管固体组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN89212001.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1988-12-29
授权号 :
CN2068725U
授权日 :
1991-01-02
发明人 :
谭金发
申请人 :
谭金发
申请人地址 :
湖南省衡阳市黄茶路194号(衡阳半导体厂
代理机构 :
湖南省衡阳市专利事务所
代理人 :
杨代祯
优先权 :
CN89212001.0
主分类号 :
H01L25/11
IPC分类号 :
H01L25/11  H01L29/784  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/10
具有单独容器的器件
H01L25/11
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
1994-05-18 :
专利权的终止专利权有效期届满
1991-08-14 :
授权
1991-01-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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