一种同步整流功率半导体场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种同步整流功率半导体场效应晶体管，包括晶体管封装外壳和晶体管本体，晶体管封装外壳包括封装底板和封装阶梯上盖，封装底板的中心位置设有若干导向镂空立杆，封装底板的上表面设有导热硅胶垫片，导热硅胶垫片的上表面设有镂空承载贴片，封装阶梯上盖安装有若干空腔导管，封装阶梯上盖的内壁设有减震防护海绵垫，减震防护海绵垫的外表面也固定设有上导热硅胶垫片，封装底板两侧边缘设有若干下沉凹槽，封装阶梯上盖的两侧边缘设有弹性夹片，封装底板和封装阶梯上盖的周向边缘均涂覆有粘附胶层；本方案的散热效果佳，并且通过对晶体管本体立体化的减震紧固，保证晶体管整体的防震抗摔能力，防止在震荡中造成晶体管本体的损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种同步整流功率半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920692999.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN209561377U
授权日 ：
2019-10-29
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920692999.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/04 H01L23/00 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2019-10-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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