高频低功耗功率结型场效应晶体管
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发明的结型场效应晶体管，可以是沟槽栅型的或平面栅型的，可以是常开型的或常闭型的。由于局域绝缘区改变了电场分布，特别是局域绝缘区与栅区部分重叠切除了一部分栅沟间PN结的面积，因而减小了栅沟PN结电容，减小了开关损耗。可以比沟槽栅MOSFET和无隐埋局域绝缘区的沟槽栅JFET具有更低的高频功率损耗，更适合于需要高频低功耗的应用领域。
基本信息
专利标题 ：
高频低功耗功率结型场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812132A
申请号 ：
CN200510132111.9
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亢宝位吴郁田波单建安
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张慧
优先权 ：
CN200510132111.9
主分类号 ：
H01L29/808
IPC分类号 ：
H01L29/808
法律状态
2008-10-15 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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