一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga₂O₃JFET)。本发明的主要特征是引入能与N型氧化镓形成PN异质结的P型氧化物使G_a2O₃增强型JFET得以实现，同时器件漂移区上部两侧沿纵向方向分段的P氧化物栅区及横向两侧P氧化物栅区之间的P氧化物区可使Ga₂O₃JFET相较常规JFET器件，正向导通时具有多沟道，反向耐压时电场分布调制，从而器件在实现增强型的同时，兼具低导通电阻、高耐压和高可靠性，进一步发挥氧化镓材料的优势。

基本信息

专利标题：

一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113257922A

申请号：

CN202110521158.3

公开（公告）日：

2021-08-13

申请日：

2021-05-13

授权号：

CN113257922B

授权日：

2022-05-17

发明人：

罗小蓉鲁娟魏雨夕魏杰蒋卓林杨可萌

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新西区西源大道2006号

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙一峰

优先权：

CN202110521158.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/24 H01L29/10

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2021-08-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210513

2021-08-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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