碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法
公开
摘要
本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114563675A
申请号 ：
CN202110428993.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
付志伟侯波陈思周斌王之哲杨晓锋黄云施宜军梁振堂徐及乐
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
阚传猛
优先权 ：
CN202110428993.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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