一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。本实用新型是成本低廉，工艺简单，安全环保的薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920490045.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN209747522U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
刘启晗赵春赵策洲杨莉
申请人 ：
西交利物浦大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区仁爱路111号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范晴
优先权 ：
CN201920490045.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/778
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法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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