氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
实质审查的生效
摘要
一种氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高薄膜晶体管稳定性和迁移率的方法，氧化物半导体靶材包括基质氧化物半导体材料和正四价镧系离子。利用含有正四价镧系离子的氧化物半导体靶，制备作为薄膜晶体管沟道层的薄膜材料，并相应制备薄膜晶体管。在光照及负栅压时，正四价镧系离子轨道杂化跃迁吸收蓝光甚至红绿光，进一步下转换成低能光或无辐射的形式，避免了背光源或者自发光中的蓝光电离氧空位而造成电导增大、造成阈值电压负漂的问题，提高了NBIS稳定性。
基本信息
专利标题 ：
氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481054A
申请号 ：
CN202210102412.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰林锋李潇彭俊彪
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
北京棘龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
谢静
优先权 ：
CN202210102412.0
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 H01L29/24 H01L29/786
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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