一种磁致伸缩薄膜靶材结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁致伸缩薄膜靶材结构，包括圆形铁靶和设置在铁靶上的同心刻蚀环，刻蚀环上沿径向交替设置有镝片和铽片，铽片和镝片采用铟固定，铽片与镝片的表面积之和与铁靶表面积之比为1:2α，其中α为相同溅射条件下铽靶和镝靶与铁靶的溅射速率的比值；本实用新型可以快速估算得到铽片和镝片的尺寸、数量和摆放位置，方法简单，操作便捷的调节薄膜中各成份的比例，制备出饱和场低、磁致伸缩系数高等性能优异的磁致伸缩薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种磁致伸缩薄膜靶材结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123024449.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216514096U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王建波张智杰吴新建董亭亭齐志强
申请人 ：
华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区雄楚大街981号
代理机构 ：
武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘念涛
优先权 ：
CN202123024449.6
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/14 H01F41/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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