一种磁致伸缩薄膜靶材结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种磁致伸缩薄膜靶材结构,包括圆形铁靶和设置在铁靶上的同心刻蚀环,刻蚀环上沿径向交替设置有镝片和铽片,铽片和镝片采用铟固定,铽片与镝片的表面积之和与铁靶表面积之比为1:2α,其中α为相同溅射条件下铽靶和镝靶与铁靶的溅射速率的比值;还公开了其制备方法;本发明可以快速估算得到铽片和镝片的尺寸、数量和摆放位置,方法简单,操作便捷的调节薄膜中各成份的比例,制备出饱和场低、磁致伸缩系数高等性能优异的磁致伸缩薄膜。
基本信息
专利标题 :
一种磁致伸缩薄膜靶材结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318252A
申请号 :
CN202111471740.X
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王建波张智杰吴新建董亭亭齐志强
申请人 :
华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区雄楚大街981号
代理机构 :
武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘念涛
优先权 :
CN202111471740.X
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/14 H01F41/18
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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