一种提高钼管靶材密度机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高钼管靶材密度机构,包括真空气密箱,所述真空气密箱下表面固定安装有进水孔,所述真空气密箱位于进水孔前方固定安装有废气排放口,所述真空气密箱位于废气排放口前方固定安装有出料管,所述真空气密箱位于出料管前方固定安装有出水孔,所述出料管下端固定安装有防堵阀,所述真空气密箱上表面固定安装有送料管,所述送料管上端螺旋连接有密封盖,所述真空气密箱位于送料管前方固定安装有激光枪。本实用新型所述的一种提高钼管靶材密度机构,能够保证反应的迅速进行,且能够进一步熔化钼,双重的熔化除杂反应之后,钼金属的纯度会进一步被提升,从而达到了更高密度的钼靶材。
基本信息
专利标题 :
一种提高钼管靶材密度机构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021407168.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-16
授权号 :
CN212955318U
授权日 :
2021-04-13
发明人 :
张学智温艳玲龙训初
申请人 :
河北冠靶科技有限公司
申请人地址 :
河北省石家庄市兴业街与火炬路交叉口西北角
代理机构 :
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 :
尹均利
优先权 :
CN202021407168.1
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C22B9/02 C22B34/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2021-04-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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