一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法，方法包括：对铜箔衬底和二氧化硅/硅衬底分别进行清洁处理；在处理完成的铜箔衬底上生长石墨烯薄膜；将生长完成的石墨烯薄膜从处理完成的铜箔衬底上转移至处理完成的二氧化硅/硅衬底上，以得到沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底；在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生长二硫化钼薄膜，以得到石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜。本发明通过在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生成二硫化钼，得到大面积连续高质量的二维二硫化钼薄膜，使得在范德瓦尔斯力的作用下，石墨烯和二硫化钼自然形成范德瓦尔斯异质结，得到大面积连续高质量的石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574835A
申请号 ：
CN202210182771.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张璐
申请人 ：
山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区浪潮路1036号浪潮科技园S01楼35层
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳南
优先权 ：
CN202210182771.1
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/30 C23C16/02 C23C16/56 C01B32/186 C01B32/194
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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