一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用
公开
摘要
本发明公开了一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/铜/二硫化钼梯度过渡层和二硫化钼/铜掺杂层，获得二硫化钼/铜复合薄膜，之后进行硫化处理，制得硫化二硫化钼/铜复合薄膜。本发明提供的硫化二硫化钼/铜复合薄膜利用二硫化钼薄膜低摩擦特性的同时，采用二硫化钼和铜共溅射形成有效掺杂，提高了薄膜的摩擦学性能，并且二硫化钼和硫化铜的低摩擦磨损具有协同作用，有利于提高硫化二硫化钼/铜复合薄膜的耐磨性，具有优越的大气磨损性能，磨损率降低了一个数量级，能够满足各种机械部件的低磨损服役要求。
基本信息
专利标题 ：
一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574826A
申请号 ：
CN202210197272.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒲吉斌范昕王海新史彦斌杨敏
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202210197272.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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